Sihi DRAM-i soojenema! Mikroni 908 miljardit jüaani Taiwani laiendusjaamas

Taiwan Media Daily Daily andmetel kulutab Micron 26. augustil 400 miljardit USA dollarit (umbes 90,8 miljardit RMB), et ehitada olemasoleva Taiwani tehase kõrvale kaks tahvlit, et toota DRAM uusima protsessi järgmise põlvkonna jaoks.

Microni investeerimisplaan on ehitada praeguse Zhongke tehase kõrvale kaks A4 ja A5 korpust. Nende hulgas valmib A3 tehas järgmise aasta augustis ja uusim 1z protsessiprotsesside tootmine tuuakse välja järgmise aasta neljandas kvartalis, vähendades sellega lõhet Samsungiga; teise etapi A5 tehas laiendab järk-järgult tootmisvõimsust vastavalt turunõudlusele ja kavandatav igakuine tootmisvõimsus on 60 000 tükki.

Taiwani uudiste kohaselt on Microni investeering suuruselt teine ​​pooljuhtide investeeringute juhtum Taiwanis (pärast TSMC ja Nanke laienemist). Kui see on välismaa, on see suurim investeerimisjuhtum.

Taiwani haru kinnitas uudist, et Micron laiendas oma A3 tehast Taichungis ja on sisenenud ehitusprojekti. On arusaadav, et Micron kulutas külma tuule perioodil tehase laiendamiseks palju raha, peamiselt seetõttu, et 5G optimistlik suunab tehisintellekti, asjade interneti ja autopiloodi rakenduste arendamist, suurendab nõudlust DRAM-i kasvu järele ja varajast kaardipesade äri võimalusi.

Hiljuti lõpetati ka Microni oma Feb10 tehase laiendamine Singapuris. Ehkki see pole oma tootmisvõimsust suurendanud, võimaldab see Micronil jätkata mitmekihiliste välkmälutoodete tootmist kõrgete protsessinõuetega.

Kuna mäluhinnad on sel aastal kogu aeg langenud, on nii Samsung kui ka SK Hynix oma laienemisplaanid peatanud. Microni hiljutised laienemisplaanid on käivitatud üheaegselt, eesmärgiga röövida turuosa piisava mahutavuse ja nüüdisaegsete protsesside kaudu mälutööstuse algusaegadel.